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5962-8852506YX

更新时间： 2024-01-10 09:34:36

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美国微芯 - MICROCHIP		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
25页	659K
描述
EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CQCC32

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5962-8852506YX 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFJ
包装说明：	QCCN,	针数：	32
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.83
最长访问时间：	150 ns	JESD-30 代码：	R-CQCC-N32
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	32KX8	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	QCCN	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	并行/串行：	PARALLEL
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	MIL-STD-883	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	QUAD	最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms
Base Number Matches：	1

5962-8852506YX 数据手册

AT28C256

5. DC and AC Operating Range

AT28C256-15

AT28C256-20

AT28C256-25

AT28C256-35

Ind.

Mil.

-40°C - 85°C

-55°C - 125°C

5V ± 10%

Operating Temperature

(Case)

-55°C - 125°C

V_CCPower Supply

5V ± 10%

6. Operating Modes

Mode

V_IL

V_IH

V_IL

V_IH

X⁽¹⁾

V_IH

V_IL

I/O

D_OUT

D_IN

Read

Write⁽²⁾

Standby/Write Inhibit

Write Inhibit

Output Disable

High Z

V_IH

V_IL

V_IH

High Z

(3)

Chip Erase

V_IL

V_H

V_IL

Notes: 1. X can be V_ILor V_IH.

2. Refer to AC programming waveforms.

3. V_H= 12.0V 0.5V.

7. Absolute Maximum Ratings*

*NOTICE:

Stresses beyond those listed under “Absolute

Maximum Ratings” may cause permanent dam-

age to the device. This is a stress rating only and

functional operation of the device at these or any

other conditions beyond those indicated in the

operational sections of this specification is not

implied. Exposure to absolute maximum rating

conditions for extended periods may affect

device reliability

Temperature under Bias................................ -55°C to +125°C

Storage Temperature..................................... -65°C to +150°C

All Input Voltages

(including NC Pins)

with Respect to Ground ...................................-0.6V to +6.25V

All Output Voltages

with Respect to Ground .............................-0.6V to V_CC+ 0.6V

Voltage on OE and A9

with Respect to Ground ...................................-0.6V to +13.5V

8. DC Characteristics

Symbol

Parameter

Condition

Min

Max

Units

µA

I_LI

Input Load Current

Output Leakage Current

V_IN= 0V to V_CC+ 1V

V_I/O= 0V to V_CC

I_LO

Ind.

Mil.

200

300

I_SB1

V_CCStandby Current CMOS CE = V_CC- 0.3V to V_CC+ 1V

I_SB2

I_CC

V_CCStandby Current TTL

V_CCActive Current

Input Low Voltage

CE = 2.0V to V_CC+ 1V

f = 5 MHz; I_OUT= 0 mA

V_IL

0.8

V_IH

V_OL

V_OH

Input High Voltage

Output Low Voltage

Output High Voltage

2.0

2.4

I_OL= 2.1 mA

I_OH= -400 µA

0.45

0006M–PEEPR–12/09

1 2 3 456 7 8...25

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