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5962-8700221ZA

更新时间： 2024-09-17 14:50:11

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	394K
描述
Multi-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, DIP-48

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5962-8700221ZA 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP, DIP48,.6	针数：	48
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.06
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	35 ns
其他特性：	AUTOMATIC POWER-DOWN	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-CDIP-T48	JESD-609代码：	e0
长度：	60.96 mm	内存密度：	16384 bit
内存集成电路类型：	MULTI-PORT SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	2
端子数量：	48	字数：	2048 words
字数代码：	2000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	2KX8	输出特性：	3-STATE
可输出：	YES	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP48,.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	电源：	5 V
认证状态：	Qualified	筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度：	4.826 mm	最大待机电流：	0.03 A
最小待机电流：	4.5 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.29 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	15.24 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
5962-8700221ZX	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CDIP48, CERAMIC, DIP-48
5962-8700222TX	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, FP-48
5962-8700222UX	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CQCC52, LCC-52
5962-8700222ZA	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, DIP-48
5962-8700222ZX	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CDIP48, CERAMIC, DIP-48
5962-8700223TA	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, CQFP48, CERAMIC, QFP-48
5962-8700223TX	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, FP-48
5962-8700223UA	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, CQCC48, LCC-48
5962-8700223UX	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, CQCC52, LCC-52
5962-8700223ZX	ETC	获取价格	x8 Dual-Port SRAM