生命周期: | Active | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP-20 | 针数: | 20 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | HTS代码: | 8542.39.00.01 |
Factory Lead Time: | 1 week | 风险等级: | 5.19 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | CASCADABLE |
系列: | HCT | JESD-30 代码: | R-GDIP-T20 |
长度: | 24.2 mm | 负载电容(CL): | 50 pF |
逻辑集成电路类型: | MAGNITUDE COMPARATOR | 最大I(ol): | 0.004 A |
位数: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 20 | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 输出极性: | INVERTED |
封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP20,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 包装方法: | TUBE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
最大电源电流(ICC): | 0.08 mA | Prop。Delay @ Nom-Sup: | 42 ns |
传播延迟(tpd): | 51 ns | 认证状态: | Qualified |
筛选级别: | MIL-STD-883 | 座面最大高度: | 5.08 mm |
子类别: | Arithmetic Circuit | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 6.92 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
5962-8685701RX | ETC |
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Magnitude Comparator | |
5962-8685901LX | ETC |
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x4 SRAM | |
5962-8685901XA | IDT |
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Standard SRAM, 16KX4, 85ns, CMOS, CQCC28, LCC-28 | |
5962-8685901XX | ETC |
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x4 SRAM | |
5962-8685902LX | ETC |
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x4 SRAM | |
5962-8685902XX | ETC |
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x4 SRAM | |
5962-8685903LX | ETC |
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x4 SRAM | |
5962-8685903XX | ETC |
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x4 SRAM | |
5962-8685904LA | IDT |
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CDIP-24, Tube | |
5962-8685904LX | ETC |
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x4 SRAM |