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5962-86052013C

更新时间: 2024-02-09 03:15:56
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
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16页 434K
描述
x8 SRAM

5962-86052013C 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:QFN
包装说明:QCCN,针数:28
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.52
Is Samacsys:NJESD-30 代码:S-XQCC-N28
内存密度:2048 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:28字数:256 words
字数代码:256工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:256X8封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:QCCN封装形状:SQUARE
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:SERIAL
认证状态:Qualified筛选级别:MIL-STD-883
最大供电电压 (Vsup):5.25 V最小供电电压 (Vsup):4.75 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:BIPOLAR温度等级:MILITARY
端子形式:NO LEAD端子位置:QUAD
Base Number Matches:1

5962-86052013C 数据手册

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