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5962-8605201WA

更新时间: 2024-02-02 12:00:38
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
16页 434K
描述
x8 SRAM

5962-8605201WA 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DIP,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.82
Is Samacsys:NJESD-30 代码:R-PDIP-T22
JESD-609代码:e0内存密度:2048 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:22
字数:256 words字数代码:256
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:256X8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:SERIAL认证状态:Not Qualified
筛选级别:MIL-STD-883最大供电电压 (Vsup):5.25 V
最小供电电压 (Vsup):4.75 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:BIPOLAR
温度等级:MILITARY端子面层:TIN LEAD
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

5962-8605201WA 数据手册

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