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Datasheet > 逻辑 > 复用器/解复用器> 54ACT257LMQB-RH
54ACT257LMQB-RH PDF预览

54ACT257LMQB-RH

更新时间： 2024-02-28 03:38:23
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC 复用器
页数 文件大小 规格书
8页 123K
描述
IC ACT SERIES, QUAD 2 LINE TO 1 LINE MULTIPLEXER, TRUE OUTPUT, CQCC20, CERAMIC, LCC-20, Multiplexer/Demultiplexer

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54ACT257LMQB-RH 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DFP
包装说明：DFP, FL16,.25针数：16
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.7系列：ACT
JESD-30 代码：R-GDFP-F16JESD-609代码：e0
负载电容（CL）：50 pF逻辑集成电路类型：MULTIPLEXER
最大I（ol）：0.024 A湿度敏感等级：1
功能数量：4输入次数：2
输出次数：1端子数量：16
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
输出特性：3-STATE输出极性：TRUE
封装主体材料：CERAMIC, GLASS-SEALED封装代码：DFP
封装等效代码：FL16,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLATPACK峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：5 VProp。Delay @ Nom-Sup：11.5 ns
传播延迟（tpd）：9.5 ns认证状态：Not Qualified
筛选级别：MIL-PRF-38535 Class V座面最大高度：2.032 mm
子类别：Multiplexer/Demultiplexers最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子面层：Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式：FLAT端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
总剂量：100k Rad(Si) V宽度：6.35 mm
Base Number Matches：1

54ACT257LMQB-RH 数据手册

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Absolute Maximum Ratings (Note 1)  
If Military/Aerospace specified devices are required,  
please contact the National Semiconductor Sales Office/  
Distributors for availability and specifications.  
Recommended Operating  
Conditions  
Supply Voltage (VCC  
)
’AC  
2.0V to 6.0V  
4.5V to 5.5V  
0V to VCC  
Supply Voltage (VCC  
)
−0.5V to +7.0V  
’ACT  
DC Input Diode Current (IIK  
)
Input Voltage (VI)  
=
VI −0.5V  
−20 mA  
+20 mA  
Output Voltage (VO  
)
0V to VCC  
=
VI VCC +0.5V  
Operating Temperature (TA)  
54AC/ACT  
DC Input Voltage (VI)  
−0.5V to VCC +0.5V  
−55˚C to +125˚C  
125 mV/ns  
DC Output Diode Current (IOK  
)
Minimum Input Edge Rate (∆V/∆t)  
’AC Devices  
=
VO −0.5V  
−20 mA  
+20 mA  
=
VO VCC +0.5V  
% to 70% of V  
VIN from 30  
CC  
DC Output Voltage (VO  
)
−0.5V to VCC +0.5V  
@
VCC 3.3V, 4.5V, 5.5V  
DC Output Source or Sink Current  
(IO  
Minimum Input Edge Rate (∆V/∆t)  
’ACT Devices  
±
±
)
50 mA  
DC VCC or Ground Current  
Per Output Pin (ICC or IGND  
VIN from 0.8V to 2.0V  
)
50 mA  
@
VCC 4.5V, 5.5V  
125 mV/ns  
Storage Temperature (TSTG  
Junction Temperature (TJ)  
CDIP  
)
−65˚C to +150˚C  
Note 1: Absolute maximum ratings are those values beyond which damage  
to the device may occur. The databook specifications should be met, without  
exception, to ensure that the system design is reliable over its power supply,  
temperature, and output/input loading variables. National does not recom-  
175˚C  
™
mend operation of FACT circuits outside databook specifications.  
DC Characteristics for ’AC Family Devices  
54AC  
=
Symbol  
Parameter  
VCC  
(V)  
TA  
Units  
Conditions  
−55˚C to +125˚C  
Guaranteed  
Limits  
2.1  
=
VIH  
Minimum High  
Level Input  
Voltage  
3.0  
4.5  
5.5  
3.0  
4.5  
5.5  
3.0  
4.5  
5.5  
VOUT 0.1V  
3.15  
3.85  
0.9  
V
V
V
or VCC − 0.1V  
=
VIL  
Maximum Low  
Level Input  
Voltage  
VOUT 0.1V  
1.35  
1.65  
2.9  
or VCC − 0.1V  
=
VOH  
Minimum High  
Level Output  
Voltage  
IOUT −50 µA  
4.4  
5.4  
(Note 2)  
=
VIN VIL or VIH  
3.0  
4.5  
5.5  
3.0  
4.5  
5.5  
2.4  
3.7  
4.7  
0.1  
0.1  
0.1  
−12 mA  
V
V
IOH  
−24 mA  
−24 mA  
=
IOUT 50 µA  
VOL  
Maximum Low  
Level Output  
Voltage  
(Note 2)  
=
VIN VIL or VIH  
3.0  
4.5  
5.5  
5.5  
0.50  
0.50  
0.50  
12 mA  
V
IOL  
24 mA  
24 mA  
=
VI VCC, GND  
±
IIN  
Maximum Input  
Leakage Current  
1.0  
µA  
3
www.national.com  
12345678

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