50RIA100L

更新时间： 2024-11-05 13:01:31

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威世 - VISHAY		栅极
页数	文件大小	规格书
7页	151K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 78.5A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-208AC

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50RIA100L 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.11	配置：	SINGLE
JEDEC-95代码：	TO-208AC	JESD-30 代码：	O-MUPM-D2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	78.5 A
参考标准：	CECC	断态重复峰值电压：	1000 V
重复峰值反向电压：	1000 V	表面贴装：	NO
端子形式：	SOLDER LUG	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

50RIA100L 数据手册

50RIA Series

Vishay High Power Products

Medium Power Thyristors

(Stud Version), 50 A

FEATURES

• High current rating

RoHS

• Excellent dynamic characteristics

• dV/dt = 1000 V/µs option

• Superior surge capabilities

• Standard package

COMPLIANT

• Metric threads version available

• Types up to 1200 V V_DRM/V_RRM

• RoHS compliant

TO-208AC (TO-65)

TYPICAL APPLICATIONS

• Phase control applications in converters

• Lighting circuits

PRODUCT SUMMARY

I_T(AV)

50 A

• Battery charges

• Regulated power supplies and temperature and speed

control circuit

• Can be supplied to meet stringent military, aerospace and

other high reliability requirements

MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS

PARAMETER

TEST CONDITIONS

VALUES

UNITS

°C

I_T(AV)

T_C

I_T(RMS)

50 Hz

60 Hz

50 Hz

60 Hz

1430

I_TSM

1490

10.18

9.30

I²t

kA²s

_DRM/V_RRM

100 to 1200

110

t_q

Typical

µs

°C

T_J

- 40 to 125

Document Number: 93711

Revision: 19-Sep-08

For technical questions, contact: ind-modules@vishay.com

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
50RIA100LPBF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 78.5A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-208
50RIA100M	INFINEON	获取价格	MEDIUM POWER THYRISTORS
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50RIA100MS90	VISHAY	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 80A I(T)RMS, 50000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Ele
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