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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | TO-220, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.56 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 260 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4 A | 最大漏源导通电阻： | 2.5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 106 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 16 A | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 4N60G-TA3-T | UTC |
功能相似  |
4A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 4N60L-TF1-T | UTC |
获取价格 |
4A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 4N60L-TF2-T | UTC |
获取价格 |
4A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 4N60L-TF3-T | UTC |
获取价格 |
4 Amps, 600 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET |
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Power Field-Effect Transistor |
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获取价格 |
4A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET |
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获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFET |
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获取价格 |
N-CHANNEL JUNCTIN SILICON FET |
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| 4N60L-TMS-T | UTC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| 4N60L-TN3-R | UTC |
获取价格 |
4A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 4N60L-TN3-T | UTC |
获取价格 |
4A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET |
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