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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号场效应晶体管> 3SK176A-UHG-A
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3SK176A-UHG-A

更新时间： 2024-02-19 16:29:50
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体放大器晶体管场效应晶体管有线电视光电二极管栅
页数 文件大小 规格书
6页 59K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, MINIMOLD PACKAGE-4

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3SK176A-UHG-A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4针数：4
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.13其他特性：LOW NOISE
配置：SINGLE最大漏极电流 (ID)：0.025 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：0.03 pF
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e6元件数量：1
端子数量：4工作模式：DUAL GATE, DEPLETION MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最小功率增益 (Gp)：21 dB
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN BISMUTH端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

3SK176A-UHG-A 数据手册

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DATA SHEET  
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR  
3SK176A  
RF AMP. AND MIXER FOR CATV TUNER  
N-CHANNEL Si DUAL GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR  
4 PINS MINI MOLD  
FEATURES  
PACKAGE DIMENSIONS  
•
•
High Power Gain:  
Low Noise Figure:  
GPS = 24 dB TYP. (f = 470 MHz)  
NF = 2.0 dB TYP. (f = 470 MHz)  
NF = 1.0 dB TYP. (f = 55 MHz)  
(Unit: mm)  
+0.2  
2.8  
–0.1  
+0.2  
1.5  
–0.1  
•
•
•
Automatically Mounting: Embossed Type Taping  
Suitable for use as RF amplifier and Mixer in CATV tuner.  
Small Package:  
4 Pins Mini Mold  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)  
Drain to Source Voltage  
Gate1 to Source Voltage  
Gate2 to Source Voltage  
Drain Current  
VDSX  
VG1S  
VG2S  
ID  
18  
±8 (±10)*  
±8 (±10)*  
25  
V
V
5°  
5°  
5°  
5°  
V
mA  
mW  
°C  
°C  
Total Power Dissipation  
Channel Temperature  
Storage Temperature  
PD  
200  
Tch  
125  
Tstg  
–55 to +125  
1. Source  
2. Drain  
3. Gate2  
4. Gate1  
*
RL ≥ 10 kΩ  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C)  
CHARACTERISTIC  
SYMBOL  
BVDSX  
MIN.  
18  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
V
TEST CONDITIONS  
Drain to Source Breakdown  
Voltage  
VG1S = VG2S = –2 V, ID = 10 µA  
Drain Current  
IDSX  
1.0  
0
10  
+1.0  
+1.0  
±20  
±20  
mA  
V
VDS = 5 V, VG1S = 0.75 V, VG2S = 4 V  
VDS = 6 V, VG2S = 3 V, ID = 10 µA  
VDS = 6 V, VG1S = 3 V, ID = 10 µA  
VDS = 0, VG2S = 0, VG1S = ±10 V  
VDS = 0, VG1S = 0, VG2S = ±10 V  
Gate1 to Source Cutoff Voltage  
Gate2 to Source Cutoff Voltage  
Gate1 Reverse Current  
Gate2 Reverse Current  
Forward Transfer Admittance  
VG1S(off)  
VG2S(off)  
IG1SS  
0
V
nA  
nA  
mS  
IG2SS  
| yfs |  
22  
25.5  
VDS = 5 V, VG2S = 4 V, ID = 10 mA  
f = 1 kHz  
Input Capacitance  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Power Gain  
Ciss  
2.2  
1.3  
2.7  
1.6  
3.2  
1.9  
pF  
pF  
pF  
dB  
dB  
dB  
VDS = 6 V, VG2S = 3 V, ID = 10 mA  
f = 1 MHz  
Coss  
Crss  
GPS  
NF1  
NF2  
0.015  
24.0  
2.0  
0.03  
21.0  
VDS = 6 V, VG2S = 3 V, ID = 10 mA  
f = 470 MHz  
Noise Figure 1  
3.5  
2.5  
VDS = 6 V, VG2S = 3 V, ID = 10 mA  
f = 55 MHz  
Noise Figure 2  
1.0  
IDSX Classification  
Class  
U87/UHG*  
U88/UHH*  
U88  
Marking  
IDSX (mA)  
U87  
1.0 to 6.0  
4.0 to 10.0  
* Old Specification/New Specification  
Document No. P10567EJ2V0DS00 (2nd edition)  
(Previous No. TD-2263)  
Date Published August 1995 P  
Printed in Japan  
1989  
©
123456

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