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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号场效应晶体管> 3SK135A-K
3SK135A-K PDF预览

3SK135A-K

更新时间： 2024-11-09 13:04:35
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体放大器小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管电视光电二极管栅
页数 文件大小 规格书
6页 55K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, MINIMOLD PACKAGE-4

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3SK135A-K 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：4Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.84
配置：SINGLE最大漏极电流 (ID)：0.025 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：0.03 pF
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-PDSO-G4
元件数量：1端子数量：4
工作模式：DUAL GATE, DEPLETION MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)：16 dB认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

3SK135A-K 数据手册

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DATA SHEET  
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR  
3SK135A  
RF AMP. FOR UHF TV TUNER  
N-CHANNEL SILICON DUAL-GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR  
4PIN MINI MOLD  
PACKAGE DIMENSIONS  
FEATURES  
in millimeters  
•
•
•
•
Suitable for use as RF amplifier in UHF TV tuner.  
Low Crss : 0.02 pF TYP.  
2.8+–00..32  
1.5+–00..12  
High Gps : 18 dB TYP.  
Low NF : 2.7 dB TYP.  
0.4+–00..015  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)  
Drain to Source Voltage  
Gate1 to Source Voltage  
Gate2 to Source Voltage  
Drain Current  
Total Power Dissipation  
Channel Temperature  
Storage Temperature  
VDSX  
VG1S*  
VG2S*  
ID  
PT  
Tch  
20  
±10  
±10  
25  
200  
V
V
V
mA  
mW  
˚C  
0.4+–00..105  
5˚  
5˚  
5˚  
5˚  
150  
Tstg  
–65 to +150  
˚C  
1. Source  
2. Drain  
3. Gate 2  
4. Gate 1  
*RL ≥ 10 kΩ  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 ˚C)  
CHARACTERISTIC  
Drain to Source Breakdown Voltage  
Drain Current  
SYMBOL  
BVDSX  
IDSS  
MIN.  
20  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
V
TEST CONDITIONS  
= 10 µA  
V
G1S = VG2S = –2 V, I  
D
0.01  
6
mA  
V
VDS = 5 V, VG2S = 4 V, VG1S = 0  
VDS = 10 V, VG2S = 4 V, ID = 10 µA  
VDS = 10 V, VG1S = 4 V, ID = 10 µA  
VDS = 0, VG1S = ±8 V, VG2S = 0  
VDS = 0, VG2S = ±8 V, VG1S = 0  
Gate1 to Source Cutoff Voltage  
Gate2 to Source Cutoff Voltage  
Gate1 Reverse Current  
VG1S(off)  
VG2S(off)  
IG1SS  
–2.0  
–0.7  
±20  
±20  
V
nA  
nA  
ms  
Gate2 Reverse Current  
IG2SS  
Forward Transter Admittance  
| yfs |  
14  
18  
VDS = 5 V, VG2S = 4 V, ID = 10 mA,  
f = 1 kHz  
Input Capacitance  
Output capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Power Gain  
Ciss  
Coss  
Crss  
Gps*  
NF*  
1.5  
0.5  
2.5  
1.5  
pF  
pF  
pF  
dB  
dB  
VDS = 10 V, VG2S = 4 V,  
ID = 10 mA, f = 1 MHz  
1.0  
0.02  
18  
0.03  
16  
VDS = 10 V, VG2S = 4 V, ID = 10 mA,  
f = 900 MHz  
Noise Figure  
2.7  
4.5  
IDSS Classification  
Class  
Marking  
IDSS  
L/LS*  
U65  
K/KS*  
U66  
* Old specification/New specification  
0.01 to 2  
1 to 6  
Document No. P10411EJ1V0DS00 (1st edition)  
(Previous No. TN-1758)  
Date Published August 1995 P  
Printed in Japan  
1995  
©
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
3SK135A-KS NEC

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