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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | O-PALF-W2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 应用： | VERY FAST RECOVERY | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.3 V |
| JEDEC-95代码： | DO-201AD | JESD-30 代码： | O-PALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值正向电流： | 110 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 最大输出电流： | 3 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 1000 V | 最大反向恢复时间： | 0.4 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 3NH41TPA2 | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE 3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| 3NM50 | UTC |
获取价格 |
N-CH |
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| 3NM60 | UTC |
获取价格 |
N-CH |
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| 3NM65 | UTC |
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N-CH |
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| 3NM65-FD | UTC |
获取价格 |
N-CH |
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| 3NM70 | UTC |
获取价格 |
N-CH |
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| 3NM80 | UTC |
获取价格 |
N-CH |
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| 3NM90 | UTC |
获取价格 |
N-CH |
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| 3NZ41 | TAYCHIPST |
获取价格 |
GENERAL PURPOSE RECTIFIER APPLICATION |
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| 3NZ41TPA2 | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE 3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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