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3NH41TPA2

更新时间: 2024-11-24 14:48:43
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东芝 - TOSHIBA 快速恢复二极管
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2页 63K
描述
DIODE 3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode

3NH41TPA2 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.76应用:FAST RECOVERY
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.3 VJESD-30 代码:O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流:110 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:3 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:1000 V
最大反向电流:10 µA最大反向恢复时间:0.4 µs
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

3NH41TPA2 数据手册

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GENERAL PURPOSE RECTIFIER APPLICATION
3NZ41TPA2 TOSHIBA

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DIODE 3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
3P0210000 CK-COMPONENTS

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