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3NZ41TPA2

更新时间: 2024-11-27 14:46:31
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 80K
描述
DIODE 3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode

3NZ41TPA2 技术参数

生命周期:Active包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.76
Is Samacsys:N应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 VJESD-30 代码:O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流:200 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:3 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:1000 V
最大反向电流:10 µA表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

3NZ41TPA2 数据手册

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