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3EZ200

更新时间： 2024-11-04 22:45:15
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 二极管齐纳二极管测试IOT
页数 文件大小 规格书
1页 47K
描述
Zener silicon diodes

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3EZ200 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DO-15包装说明：O-PALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.63Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：ZENER DIODE
最大动态阻抗：350 ΩJEDEC-95代码：DO-204AC
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：3 W认证状态：Not Qualified
标称参考电压：200 V子类别：Voltage Reference Diodes
表面贴装：NO技术：ZENER
端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
最大电压容差：5%工作测试电流：5 mA
Base Number Matches：1

3EZ200 数据手册

  
3EZ 1...3EZ 200(3W)  
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1
02-04-2004 SCT  
© by SEMIKRON  
1

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3EZ200 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
3EZ200 DIOTEC

类似代替

 Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology)
NTE5166A NTE

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 Zener Diode, 5 Watt 【5% Tolerance

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