3EZ200D5

更新时间： 2024-11-05 22:31:15

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EIC		稳压二极管齐纳二极管测试
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SILICON ZENER DIODES

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3EZ200D5 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.75
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管类型：	ZENER DIODE	最大动态阻抗：	875 Ω
元件数量：	1	最高工作温度：	175 °C
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大功率耗散：	3 W
标称参考电压：	200 V	子类别：	Voltage Reference Diodes
表面贴装：	NO	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
最大电压容差：	5%	工作测试电流：	3.7 mA
Base Number Matches：	1

3EZ200D5 数据手册

SILICON ZENER DIODES

3EZ Series

V : 3.9 - 400 Volts

DO - 41

P : 3 Watts

FEATURES :

* Complete Voltage Range 3.9 to 400 Volts

* High peak reverse power dissipation

1.00 (25.4)

0.107 (2.7)

MIN.

* High reliability

0.080 (2.0)

* Low leakage current

0.205 (5.2)

0.166 (4.2)

MECHANICAL DATA

* Case : DO-41 Molded plastic

* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant

* Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,

method 208 guaranteed

1.00 (25.4)

0.034 (0.86)

MIN.

0.028 (0.71)

* Polarity : Color band denotes cathode end

* Mounting position : Any

* Weight : 0.339 gram

Dimensions in inches and ( millimeters )

MAXIMUM RATINGS

Rating at 25 C ambient temperature unless otherw ise specified

Rating

Symbol

Value

Unit

DC Power Dissipation at T_L= 75 C (Note1)

P_D

3.0

Watts

Maximum Forward Voltage at I_F= 200 mA

Maximum Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note2)

Junction Temperature Range

V_F

1.5

Volts

K / W

R JA

T_J

- 55 to + 175

Storage Temperature Range

Note :

(1) T_L= Lead temperature at 3/8 " (9.5mm) from body

(2) Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case.

Fig. 1 Power Temperature Derating Curve

L = LEAD LENGTH

TO HEAT SINK

L = 1/8"

L = 3/8"

L = 1"

120

160

200

T_L,LEAD TEMPERATURE ( C)

UPDATE : SEPTEMBER 9, 2000

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