是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | O-PALF-W2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 5.43 | 其他特性: | UL RECOGNIZED |
最小击穿电压: | 57 V | 外壳连接: | ISOLATED |
最大钳位电压: | 86.4 V | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JESD-30 代码: | O-PALF-W2 | JESD-609代码: | e3 |
最大非重复峰值反向功率耗散: | 30000 W | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性: | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散: | 8 W | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 51 V | 子类别: | Transient Suppressors |
表面贴装: | NO | 技术: | AVALANCHE |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
30KPA51A | LITTELFUSE |
完全替代 |
Transient Voltage Suppression Diodes Axial Leaded - 30000W |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
30KPA51AE3TR | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 51V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, RO | |
30KPA51A-HR | LITTELFUSE |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 51V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, | |
30KPA51A-HRA | LITTELFUSE |
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30KPA-HRA高可靠性系列专门用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起 | |
30KPA51ATR | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 51V V(RWM), Unidirectional, | |
30KPA51ATRE3 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 51V V(RWM), Unidirectional, | |
30KPA51C | SENSITRON |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 51V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, PLA | |
30KPA51C | NJSEMI |
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Diode TVS Single Bi-Dir 51V 30KW 2-Pin Case P600 T/R | |
30KPA51C | LITTELFUSE |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 51V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, HAL | |
30KPA51CA | LITTELFUSE |
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Transient Voltage Suppression Diodes Axial Leaded - 30000W | |
30KPA51CA | TAITRON |
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30KW Transient Voltage Suppressor |