是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | O-PALF-W2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 1.49 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | UL RECOGNIZED | 最小击穿电压: | 57 V |
外壳连接: | ISOLATED | 最大钳位电压: | 86.4 V |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码: | O-PALF-W2 |
JESD-609代码: | e3 | 最大非重复峰值反向功率耗散: | 30000 W |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 175 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性: | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散: | 8 W |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 51 V |
子类别: | Transient Suppressors | 表面贴装: | NO |
技术: | AVALANCHE | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
30KPA51A-B | LITTELFUSE |
完全替代 |
Transient Voltage Suppression Diodes |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
30KPA51A/B | YAGEO |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, | |
30KPA51A/TR13 | YAGEO |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, | |
30KPA51A-B | LITTELFUSE |
获取价格 |
Transient Voltage Suppression Diodes | |
30KPA51AE3TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 51V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, RO | |
30KPA51A-HR | LITTELFUSE |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 51V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, | |
30KPA51A-HRA | LITTELFUSE |
获取价格 |
30KPA-HRA高可靠性系列专门用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起 | |
30KPA51ATR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 51V V(RWM), Unidirectional, | |
30KPA51ATRE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 51V V(RWM), Unidirectional, | |
30KPA51C | SENSITRON |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 51V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, PLA | |
30KPA51C | NJSEMI |
获取价格 |
Diode TVS Single Bi-Dir 51V 30KW 2-Pin Case P600 T/R |