是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | O-PALF-W2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.50 | 风险等级: | 5.42 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, UL RECOGNIZED |
最小击穿电压: | 43.6 V | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码: | O-PALF-W2 |
最大非重复峰值反向功率耗散: | 30000 W | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性: | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散: | 8 W | 最大重复峰值反向电压: | 39 V |
表面贴装: | NO | 技术: | AVALANCHE |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
30KPA39A/B | YAGEO |
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Trans Voltage Suppressor Diode, | |
30KPA39AB | LITTELFUSE |
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30000W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKA | |
30KPA39A-B | LITTELFUSE |
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Transient Voltage Suppression Diodes | |
30KPA39AE3 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 39V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HA | |
30KPA39AE3TR | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 39V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, RO | |
30KPA39A-HR | LITTELFUSE |
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30KPA-HR高可靠性系列专门设计用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其它瞬态电压事件产 | |
30KPA39A-HRA | LITTELFUSE |
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30KPA-HRA高可靠性系列专门用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起 | |
30KPA39ATR | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 39V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PL | |
30KPA39C | SENSITRON |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 39V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, PLA | |
30KPA39C | LITTELFUSE |
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30KPA系列可专门用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的瞬态电压影响 |