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30KPA33AE3

更新时间: 2024-01-10 10:17:24
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
8页 477K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 33V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, P600, 2 PIN

30KPA33AE3 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
包装说明:ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.36
Is Samacsys:N最小击穿电压:36.9 V
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-PALF-W2JESD-609代码:e3
最大非重复峰值反向功率耗散:30000 W元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:1.61 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:33 V
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子面层:MATTE TIN端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

30KPA33AE3 数据手册

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