5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-PALF-W2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.36 | 其他特性： | UL RECOGNIZED |
| 最小击穿电压： | 36.9 V | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码： | O-PALF-W2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 30000 W | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性： | BIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 8 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 33 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | AVALANCHE | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 30KPA33CA-B | LITTELFUSE |
获取价格 |
Transient Voltage Suppression Diodes |
|
| 30KPA33CAE3TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 33V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROH |
|
| 30KPA33CA-HR | LITTELFUSE |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 30KPA33CA-HRA | LITTELFUSE |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 33V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, HAL |
|
| 30KPA33CATR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 33V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, PLA |
|
| 30KPA345A-HR | LITTELFUSE |
获取价格 |
30KPA-HR高可靠性系列专门设计用于保护敏感电子设备，使其免受雷击和其它瞬态电压事件产 |
|
| 30KPA345A-HRA | LITTELFUSE |
获取价格 |
30KPA-HRA高可靠性系列专门用于保护敏感电子设备，使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起 |
|
| 30KPA345CA-HR | LITTELFUSE |
获取价格 |
30KPA-HR高可靠性系列专门设计用于保护敏感电子设备，使其免受雷击和其它瞬态电压事件产 |
|
| 30KPA345CA-HRA | LITTELFUSE |
获取价格 |
30KPA-HRA高可靠性系列专门用于保护敏感电子设备，使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起 |
|
| 30KPA350 | NJSEMI |
获取价格 |
Diode TVS Single Uni-Dir 350V 30KW 2-Pin Case P-600 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
