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30KPA33C

更新时间： 2024-01-31 09:57:36
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 电子局域网二极管瞬态抑制器
页数 文件大小 规格书
5页 125K
描述
30KPA系列可专门用于保护敏感电子设备，使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的瞬态电压影响。

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30KPA33C 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：O-PALF-W2Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.69其他特性：EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：O-PALF-W2最大非重复峰值反向功率耗散：30000 W
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性：BIDIRECTIONAL最大功率耗散：8 W
最大重复峰值反向电压：33 V表面贴装：NO
技术：AVALANCHE端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

30KPA33C 数据手册

 浏览型号30KPA33C的Datasheet PDF文件第2页浏览型号30KPA33C的Datasheet PDF文件第3页浏览型号30KPA33C的Datasheet PDF文件第4页浏览型号30KPA33C的Datasheet PDF文件第5页 
TransientVoltage Suppression Diodes  
Axial Leaded – 30000W  
RoHS  
30KPA Series  
Description  
The 30KPA Series is designed specifically to protect  
sensitive electronic equipment from voltage transients  
induced by lightning and other transient voltage events.  
Features  
tꢀ 3P)4ꢀDPNQMJBOU  
tꢀ -PXꢀJODSFNFOUBMꢀTVSHFꢀ  
resistance  
tꢀ 5ZQJDBMꢀNBYJNVNꢀ  
temperature coefficient  
Δ VBR = 0.1% × VBR@25°C  
tꢀ 5ZQJDBMꢀ*R less than 2μA  
above 73V  
tꢀ (MBTTꢀQBTTJWBUFEꢀDIJQꢀ  
KVODUJPOꢀJOꢀ1ꢁꢂꢂꢀQBDLBHF  
tꢀ ꢃꢂꢂꢂꢂ8ꢀQFBLꢀQVMTFꢀ  
capability at 10×1000μs  
waveform, repetition rate  
(duty cycles):0.01%  
tꢀ )JHIꢀUFNQFSBUVSFꢀ  
soldering guaranteed:  
260°C/40 seconds /  
ꢂꢅꢃꢆꢇ ꢈꢉꢊꢅꢇNNꢋꢀMFBEꢀ  
length, 5 lbs., (2.3kg)  
tension  
Agency Approvals  
AGENCY  
AGENCY FILE NUMBER  
E230531  
tꢀ 1MBTUJDꢀQBDLBHFꢀIBTꢀ  
Underwriters Laboratory  
Flammability classification  
94V-O  
tꢀ .BUUFꢀ5JOꢀ-FBEoGSFFꢀ  
plated  
tꢀ 'BTUꢀSFTQPOTFꢀUJNFꢄꢀ  
typically less than 1.0ps  
from 0 Volts to BV min  
tꢀ &YDFMMFOUꢀDMBNQJOHꢀ  
capability  
Maximum Ratings andThermal Characteristics  
(TA=25OC unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
PPPM  
Value  
Unit  
W
Peak Pulse Power Dissipation by  
10x1000μs test waveform (Fig.1)  
(Note 1)  
Applications  
30000  
TVS devices are ideal for the protection of I/O interfaces,  
CC bus and other vulnerable circuits used in telecom,  
computer, industrial and consumer electronic applications.  
V
Steady State Power Dissipation on  
inifinite heat sink atTL=75ºC (Fig. 5)  
PD  
8.0  
W
A
Peak Forward Surge Current, 8.3ms  
Single Half Sine Wave Unidirectional  
only (Note 2)  
IFSM  
400  
Operating Junction and Storage  
Temperature Range  
T , TSTG -55 to 175  
°C  
J
TypicalThermal Resistance Junction  
to Lead  
RuJL  
RuJA  
8.0  
40  
°C/W  
°C/W  
TypicalThermal Resistance Junction  
to Ambient  
Notes:  
1. Non-repetitive current pulse , per Fig. 3 and derated aboveTA = 25OC per Fig. 2.  
2. Measured on 8.3ms single half sine wave or equivalent square wave, duty cycle=4 per  
minute maximum.  
99  
www.littelfuse.com  
©2007 Littelfuse  
30KPA Series  
Specifications are subject to change without notice.  
12345

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