是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | O-PALF-W2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 5.36 | Is Samacsys: | N |
最小击穿电压: | 36.7 V | 击穿电压标称值: | 36.7 V |
外壳连接: | ISOLATED | 最大钳位电压: | 58.6 V |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码: | O-PALF-W2 |
湿度敏感等级: | 1 | 最大非重复峰值反向功率耗散: | 30000 W |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
极性: | BIDIRECTIONAL | 最大功率耗散: | 8 W |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 33 V |
子类别: | Transient Suppressors | 表面贴装: | NO |
技术: | AVALANCHE | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
30KPA33CAB | LITTELFUSE |
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30000W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAG | |
30KPA33CA-B | LITTELFUSE |
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Transient Voltage Suppression Diodes | |
30KPA33CAE3TR | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 33V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROH | |
30KPA33CA-HR | LITTELFUSE |
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暂无描述 | |
30KPA33CA-HRA | LITTELFUSE |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 33V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, HAL | |
30KPA33CATR | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 33V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, PLA | |
30KPA345A-HR | LITTELFUSE |
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30KPA-HR高可靠性系列专门设计用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其它瞬态电压事件产 | |
30KPA345A-HRA | LITTELFUSE |
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30KPA-HRA高可靠性系列专门用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起 | |
30KPA345CA-HR | LITTELFUSE |
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30KPA-HR高可靠性系列专门设计用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其它瞬态电压事件产 | |
30KPA345CA-HRA | LITTELFUSE |
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30KPA-HRA高可靠性系列专门用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起 |