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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | O-PALF-W2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.71 | 其他特性： | EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, LOW ZENER IMPEDANCE, PRSM-MIN |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JESD-30 代码： | O-PALF-W2 | JESD-609代码： | e3 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 30000 W | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性： | BIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 8 W | 最大重复峰值反向电压： | 400 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 30KP400CA | NJSEMI |
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TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
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| 30KP400CA | MDE |
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GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
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| 30KP400CATR | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 400V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, PL |
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| 30KP400SA | LGE |
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Glass passivated junction chip |
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| 30KP400SCA | LGE |
获取价格 |
Glass passivated junction chip |
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| 30KP40A | MICROSEMI |
获取价格 |
30kW Transient Voltage Suppressor |
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| 30KP40A | EIC |
获取价格 |
TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
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| 30KP40A | NJSEMI |
获取价格 |
TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
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| 30KP40AE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 40V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, RO |
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| 30KP40AE3TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 40V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PL |
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