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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | O-PALF-W2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.8 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY | 最大击穿电压： | 49.1 V |
| 最小击穿电压： | 44.4 V | 击穿电压标称值： | 46.75 V |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大钳位电压： | 68.6 V |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码： | O-PALF-W2 |
| JESD-609代码： | e3 | 最大非重复峰值反向功率耗散： | 30000 W |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 7 W |
| 最大重复峰值反向电压： | 40 V | 子类别： | Transient Suppressors |
| 表面贴装： | NO | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 30KP40AE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 40V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, RO |
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| 30KP40AE3TR | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 40V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PL |
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| 30KP40AHR | DIGITRON |
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Trans Voltage Suppressor Diode |
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| 30KP40A-PBF | DIGITRON |
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Trans Voltage Suppressor Diode |
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| 30KP40C | NJSEMI |
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TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
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| 30KP40C30KP40C | NJSEMI |
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TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
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| 30KP40CA | NJSEMI |
获取价格 |
TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
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| 30KP40CA-PBF | DIGITRON |
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Trans Voltage Suppressor Diode |
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| 30KP40C-PBF | DIGITRON |
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Trans Voltage Suppressor Diode |
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| 30KP40CTR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 40V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, PLA |
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