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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 30FQ040E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 30A, 40V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 |
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| 30FQ045 | MICROSEMI |
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30 AMP SCHOTTKY RECTIFIER |
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| 30FQ045 | INFINEON |
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30Amp Schottky Power Rectifiers |
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| 30FQ045 | NJSEMI |
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Schottky Rectifiers Single Chip Devices |
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| 30FQ045A | NJSEMI |
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Schottky Rectifiers Single Chip Devices |
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| 30FQ045A | INFINEON |
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30Amp Schottky Power Rectifiers |
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| 30FQ045E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 30A, 45V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 |
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| 30FQ-A | INFINEON |
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30Amp Schottky Power Rectifiers |
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| 30FR060P | DCCOM |
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TECHNICAL SPECIFICATIONS OF FAST RECOVERY EPITAXIAL DIODE VOLTAGE RANGE - 600 Volts |
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| 30-FT07NIA320RV-LE06F68 | VINCOTECH |
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IGBT fast High efficiency in hard switching and resonant topologies High speed switching |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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