2SK664

更新时间： 2024-02-20 09:03:53

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松下 - PANASONIC		/
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For Switching

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2SK664 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.84
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	50 V
最大漏极电流 (ID)：	0.1 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK664 数据手册

Silicon MOS FETs (Small Signal)

2SK0664

P_D Ta

I_D V_DS

| Y_fs|  V_GS

240

200

160

120

100

Ta=25˚C

V_DS=5V

Ta=25˚C

V_GS=6.0V

5.5V

5.0V

4.5V

4.0V

3.5V

3.0V

2.5V

20 40 60 80 100 120 140 160

(

)

( )

Gate to source voltage V_GSV

Ambient temperature Ta ˚C

Drain to source voltage V_DS

C_iss, C_oss, C_rss V_DS

I_D V_GS

R_DS(on) V_GS

120

100

120

100

V_GS=0

f=1MHz

Ta=25˚C

I_D=20mA

V_DS=5V

Ta=25˚C

C_iss

Ta=–25˚C

25˚C

75˚C

Ta=75˚C

25˚C

C_oss

–25˚C

C_rss

100

( )

Gate to source voltage V_GSV

Drain to source voltage V_DS

Gate to source voltage V_GS

V_IN I_O

100

V_O=5V

Ta=25˚C

0.3

0.1

0.03

0.01

0.1

0.3

100

(

)

Output current I_OmA

290

123

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