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2SK4090(1)-S27-AY

更新时间： 2024-09-28 15:25:15

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	176K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.064A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA, LEAD FREE, MP-3B, TO-251, 3 PIN

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2SK4090(1)-S27-AY 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-251AA	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.32	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	0.064 A	最大漏源导通电阻：	0.011 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-251AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK4090(1)-S27-AY 数据手册

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DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK4090

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

The 2SK4090 is N-channel MOS FET device that features a low on-state resistance and excellent switching characteristics,

and designed for low voltage high current applications such as DC/DC converter with synchronous rectifier.

FEATURES

• Low on-state resistance

R^DS(on)1= 6.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 30 A)

R^DS(on)2= 11 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 30 A)

• Low gate to drain charge

QGD = 6 nC TYP. (VDD = 15 V, ID = 30 A)

• 4.5 V drive available

• Avalanche capability ratings

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

2SK4090(1)-S27-AY ^Note

2SK4090-ZK-E1-AY ^Note

2SK4090-ZK-E2-AY ^Note

LEAD PLATING

PACKING

PACKAGE

Tube 75 p/tube

TO-251 (MP-3-b) typ. 0.34 g

Pure Sn (Tin)

Tape 2500 p/reel

TO-252 (MP-3ZK) typ. 0.27 g

Note Pb-free (This product does not contain Pb in external electrode).

(TO-251)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)

Drain to Source Voltage (VGS = 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

VDSS

VGSS

ID(DC)

I^D(pulse)

PT1

192

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Channel Temperature

°C

PT2

1.0

T^ch

150

(TO-252)

Storage Temperature

T^stg

−55 to +150

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

I^AS

E^AS

122.5

Notes 1. PW ≤ 10 μs, Duty Cycle ≤ 1%

2. Starting T^ch= 25°C, VDD = 15 V, RG = 25 Ω, VGS = 20 → 0 V, L = 0.1 mH

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. D18634EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published February 2007 NS CP(K)

Printed in Japan

2007

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK4090-ZK-E1-AY	NEC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.064A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
2SK4090-ZK-E2-AY	NEC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.064A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
2SK4091(1)-S27-AY	NEC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.03A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
2SK4091-ZK-E1-AY	NEC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.03A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
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