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2SK3911

更新时间： 2024-01-17 20:38:58
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
6页 261K
描述
N沟道的MOS场效应晶体管的硅（马赫Ⅱ π -马鞍山Ⅵ ）

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2SK3911 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Lifetime Buy
零件包装代码：SC-65包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.3Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：792 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A最大漏极电流 (ID)：20 A
最大漏源导通电阻：0.32 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK3911 数据手册

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2SK3911  
東芝電界効果トランジスタ シリコンNチャネルMOS形 (MACHⅡ π−MOSⅥ)  
2SK3911  
○スイッチングレギュレータ用  
単位: mm  
• ゲート入力電荷量が小さい。  
• オン抵抗が低い。  
: Q = 60 nC (標準)  
g
: R  
= 0.22 Ω (標準)  
DS (ON)  
• 順方向伝達アドミタンスが高い。: |Y | = 11 S (標準)  
fs  
• 漏れ電流が低い。  
• 取り扱いが簡単なエンハンスメントタイプです。  
: V = 2.0~4.0 V (V  
: I  
= 500 μA (V  
= 600 V)  
DSS  
DS  
= 10 V, I = 1 mA)  
th  
DS  
D
絶対最大定格 (Ta = 25°C)  
項
目
記 号  
定
格
単位  
ド レ イ ン ･ ソ ー ス 間 電 圧  
ドレイン･ゲート間電圧 (R = 20 kΩ)  
V
600  
600  
±30  
20  
V
V
DSS  
V
GS  
ゲ ー ト ･ ソ ー ス 間 電 圧  
DC (注1)  
DGR  
1. ゲート  
V
V
GSS  
2. ドレイン (放熱板)  
3. ソース  
I
D
A
ド レ イ ン 電 流  
パルス (注1)  
失(Tc=25℃)  
I
80  
A
DP  
許
容
損
P
150  
792  
20  
W
mJ  
A
JEDEC  
―
D
AR  
AR  
アバランシェエネルギー (単発) (注2)  
ア バ ラ ン シ ェ 電 流  
アバランシェエネルギー (連続) (注3)  
E
JEITA  
SC-65  
2-16C1B  
I
東 芝  
E
15  
mJ  
°C  
°C  
AR  
質量: 4.6 g (標準)  
チ
保
ャ
ネ
ル
温
度
度
T
150  
ch  
存
温
T
−55~150  
stg  
注: 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内での使用においても、高負荷 (高温および大電  
流/高電圧印加、多大な温度変化等) で連続して使用される場合は、信頼性が著しく低下するおそれがあります。  
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) およ  
び個別信頼性情報 (信頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の上、適切な信頼性設計をお願いします。  
熱抵抗特性  
2
項
目
記 号  
最
大
単位  
チ ャ ネ ル ・ ケ ー ス 間 熱 抵 抗  
チ ャ ネ ル ・ 外 気 間 熱 抵 抗  
R
0.833  
50  
℃/W  
℃/W  
th (ch−c)  
R
th (ch−a)  
1
注1: チャネル温度が150°C を超えることのない放熱条件でご使用ください。  
注2: アバランシェエネルギー (単発) 印加条件  
V
= 90 V, T = 25°C (初期), L = 3.46 mH, I  
= 20 A, R = 25 Ω  
AR G  
DD  
ch  
注3: 連続印加の際、パルス幅は製品のチャネル温度によって制限されます。  
この製品はMOS 構造です。取り扱いの際には、静電気にご注意ください。  
3
1
2006-11-07  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK3911(Q) TOSHIBA

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