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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK3914-01
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2SK3914-01

更新时间： 2023-12-18 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
4页 208K
描述
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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2SK3914-01 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.84雪崩能效等级（Eas）：320 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：450 V
最大漏极电流 (ID)：6 A最大漏源导通电阻：1.2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：24 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK3914-01 数据手册

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2SK3914-01  
Super FAP-G Series  
Features  
FUJI POWER MOSFET  
200509  
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET  
Outline Drawings [mm]  
TO-220AB  
High speed switching  
No secondary breadown  
Avalanche-proof  
Low on-resistance  
Low driving power  
Applications  
Switching regulators  
DC-DC converters  
UPS (Uninterruptible Power Supply)  
Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings  
(Tc=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Symbol  
VDS  
Ratings  
450  
450  
6
Unit  
V
Remarks  
Drain-source voltage  
V
A
A
V
A
VGS=-30V  
VDSX  
ID  
Continuous drain current  
Pulsed drain current  
ID(puls]  
VGS  
±24  
±30  
6
Gate-source voltage  
Repetitive or non-repetitive  
IAR  
Note *1  
Note *2  
Note *3  
Non-repetitive  
Maximum avalanche energy  
Repetitive  
Maximum avalanche energy  
mJ  
EAS  
320  
Equivalent circuit schematic  
9
mJ  
<
Maximum drain-source dV/dt  
Peak diode recovery dV/dt  
Max. power dissipation  
dVDS/dt  
dV/dt  
PD  
20  
VDS 450V  
=
kV/μs  
kV/μs  
W
Drain(D)  
5
Note *4  
2.02  
°C  
°C  
Ta=25  
90  
W
Tc=25  
Operating and storage  
temperature range  
Tch  
+150  
°C  
Tstg  
-55 to +150  
°C  
Gate(G)  
<
Note *1 Tch 150°C  
=
Source(S)  
Note *2 Starting Tch=25°C, IAS=2.4A, L=102mH, VCC=45V, RG=50Ω  
EAS limited by maximum channel temperrature and avalanche current.  
See to ‘Avalanche Energy’ graph.  
Note *3 Repetitve rating : Pulse width limited by maximum channel temperature.  
See to ‘Transient Thermal impedance’ graph.  
<
<
<
Note *4 IF -ID, -di/dt=50A/μs, Vcc BVDSS, Tch 150°C  
=
=
=
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Test Conditions  
Symbol  
V(BR)DSS  
VGS(th)  
Item  
μ
ID= 250 A  
VGS=0V  
Drain-source breakdown voltage  
Gate threshold voltage  
450  
V
μ
ID= 250 A  
VDS=VGS  
V
3.0  
5.0  
25  
2.0  
100  
1.20  
Tch=25°C  
μA  
mA  
nA  
VDS=450V VGS=0V  
VDS=360V VGS=0V  
VGS=±30V  
VDS=0V  
Zero gate voltage drain current  
IDSS  
Tch=125°C  
IGSS  
RDS(on)  
gfs  
Gate-source leakage current  
Drain-source on-state resistance  
Forward transcondutance  
Input capacitance  
ID=3A VGS=10V  
0.98  
Ω
2.5  
5
440  
67  
S
ID=3A VDS=25V  
VDS=25V  
Ciss  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
660  
100  
4.5  
pF  
VGS=0V  
Output capacitance  
f=1MHz  
2.8  
12  
6.5  
25  
5.5  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on time ton  
ns  
VCC=300V ID=3A  
18  
10  
38  
VGS=10V  
td(off)  
tf  
Turn-off time toff  
RGS=10 Ω  
8.5  
15.5  
6.8  
23.5  
10.5  
5.5  
VCC=225V  
ID=6A  
QG  
nC  
Total Gate Charge  
QGS  
QGD  
VSD  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
3.7  
VGS=10V  
1.00  
300  
2.0  
1.50  
IF=6A VGS=0V Tch=25°C  
IF=6A VGS=0V  
-di/dt=100A/μs  
V
Diode forward on-voltage  
Reverse recovery time  
Reverse recovery charge  
trr  
Qrr  
ns  
μC  
Tch=25°C  
Thermalcharacteristics  
Item  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
Test Conditions  
Rth(ch-c)  
channel to case  
1.389  
°C/W  
Thermal resistance  
Rth(ch-a)  
channel to ambient  
62.0  
°C/W  
http://www.fujielectric.co.jp/fdt/scd/  
1
1234

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