5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 2SK3917-01MR
2SK3917-01MR PDF预览

2SK3917-01MR

更新时间： 2024-01-01 17:40:25
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI /
页数 文件大小 规格书
4页 125K
描述
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

2SK3917-01MR 数据手册

 浏览型号2SK3917-01MR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK3917-01MR的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK3917-01MR的Datasheet PDF文件第4页 
2SK3917-01MR FUJI POWER MOSFET  
200509  
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET  
Super FAP-G Series  
Outline Drawings [mm]  
Features  
TO-220F  
High speed switching  
No secondary breadown  
Avalanche-proof  
Low on-resistance  
Low driving power  
Applications  
Switching regulators  
DC-DC converters  
UPS (Uninterruptible Power Supply)  
Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings  
(Tc=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Symbol  
VDS  
Ratings  
450  
Unit  
V
Remarks  
Drain-source voltage  
VGS=-30V  
V
A
A
V
A
VDSX  
ID  
450  
Continuous drain current  
Pulsed drain current  
4.3  
ID(puls]  
VGS  
±17.2  
±30  
Gate-source voltage  
Note *1  
Note *2  
Note *3  
Repetitive or non-repetitive  
IAR  
4.3  
Non-repetitive  
Maximum avalanche energy  
Equivalent circuit schematic  
mJ  
EAS  
211  
Repetitive  
Maximum avalanche energy  
2.1  
mJ  
Drain(D)  
<
Maximum drain-source dV/dt  
Peak diode recovery dV/dt  
Max. power dissipation  
dVDS/dt  
dV/dt  
PD  
20  
VDS 450V  
kV/µs  
kV/µs  
W
=
5
Note *4  
2.16  
°C  
°C  
Ta=25  
21  
W
Tc=25  
Gate(G)  
Operating and storage  
temperature range  
Isolation voltage  
Tch  
+150  
-55 to +150  
2
°C  
Tstg  
°C  
Source(S)  
t=60sec, f=60Hz  
VISO *6  
kVrms  
Note *1 Tch 150°C  
=
Note *2 Starting Tch=25°C, IAS=1.8A, L=119mH, VCC=45V, RG=50Ω  
EAS limited by maximum channel temperrature and avalanche current.  
See to ‘Avalanche Energy’ graph.  
Note *3 Repetitve rating : Pulse width limited by maximum channel temperature.  
See to ‘Transient Thermal impedance’ graph.  
<
<
<
Note *4 IF -ID, -di/dt=50A/µs, Vcc BVDSS, Tch 150°C  
=
=
=
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)  
Symbol  
V(BR)DSS  
VGS(th)  
Item  
Test Conditions  
µ
Drain-source breakdown voltage  
Gate threshold voltage  
ID= 250 A  
VGS=0V  
VDS=VGS  
V
450  
3.0  
µ
ID= 250 A  
V
5.0  
25  
2.0  
100  
1.60  
µA  
mA  
nA  
Tch=25°C  
VDS=450V VGS=0V  
VDS=360V VGS=0V  
VGS=±30V  
VDS=0V  
Zero gate voltage drain current  
IDSS  
Tch=125°C  
IGSS  
RDS(on)  
gfs  
Gate-source leakage current  
Drain-source on-state resistance  
Forward transcondutance  
Input capacitance  
ID=2.1A VGS=10V  
1.30  
3.5  
Ω
S
ID=2.1A VDS=25V  
VDS=25V  
1.8  
Ciss  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
pF  
330  
500  
Output capacitance  
VGS=0V  
50  
2
75  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on time ton  
f=1MHz  
VCC=300V ID=2.1A  
4
ns  
11  
17.5  
8.5  
34.5  
8.0  
20  
VGS=10V  
5.5  
23  
5.0  
td(off)  
tf  
Turn-off time toff  
RGS=10 Ω  
QG  
13.0  
6.0  
nC  
Total Gate Charge  
VCC=225V  
ID=4.3A  
9.0  
3.8  
QGS  
QGD  
VSD  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
2.5  
VGS=10V  
1.00  
280  
1.6  
1.50  
V
Diode forward on-voltage  
Reverse recovery time  
Reverse recovery charge  
IF=4.3A VGS=0V Tch=25°C  
IF=4.3A VGS=0V  
-di/dt=100A/µs  
Tch=25°C  
trr  
Qrr  
ns  
µC  
Thermalcharacteristics  
Item  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
Test Conditions  
Rth(ch-c)  
channel to case  
5.952  
°C/W  
Thermal resistance  
Rth(ch-a)  
channel to ambient  
58.0  
°C/W  
1
1234

中文翻译

下载PDF

与2SK3917-01MR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK3918 KEXIN

获取价格

 		MOS Field Effect Transistor
2SK3918 NEC

获取价格

 		SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3918 TYSEMI

获取价格

 		Low on-state resistance RDS(on)1 = 7.5 m MAX Low Ciss: Ciss = 1300 pF TYP.
2SK3918-AZ RENESAS

获取价格

 		TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,25V V(BR)DSS,48A I(D),TO-251
2SK3918-ZK NEC

获取价格

 		SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3918-ZK-E2-AY RENESAS

获取价格

 		TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,25V V(BR)DSS,48A I(D),TO-252
2SK3919 NEC

获取价格

 		SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3919 KEXIN

获取价格

 		MOS Field Effect Transistor
2SK3919-AZ RENESAS

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 64A I(D), 25V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
2SK3919-ZK NEC

获取价格

 		SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

与2SK3917-01MR相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证