5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK3921-01SJ
2SK3921-01SJ PDF预览

2SK3921-01SJ

更新时间： 2024-02-02 03:28:09
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
4页 230K
描述
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

阅读下载

获取价格

2SK3921-01SJ 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.71雪崩能效等级（Eas）：719.1 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：120 V最大漏极电流 (ID)：67 A
最大漏源导通电阻：0.03 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：268 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK3921-01SJ 数据手册

 浏览型号2SK3921-01SJ的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK3921-01SJ的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK3921-01SJ的Datasheet PDF文件第4页 
2SK3921-01L,S,SJ FUJI POWER MOSFET  
200509  
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET  
Super FAP-G Series  
Outline Drawings [mm]  
Features  
High speed switching  
No secondary breadown  
Avalanche-proof  
Low on-resistance  
Low driving power  
Applications  
Switching regulators  
DC-DC converters  
UPS (Uninterruptible Power Supply)  
See to P4  
Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings  
(Tc=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Symbol  
VDS  
Ratings  
120  
90  
Unit  
V
Remarks  
Drain-source voltage  
V
A
A
V
A
VGS=-30V  
VDSX  
ID  
Continuous drain current  
Pulsed drain current  
67  
ID(puls]  
VGS  
±268  
±30  
67  
Gate-source voltage  
Repetitive or non-repetitive  
IAR  
Note *1  
Note *2  
Note *3  
Non-repetitive  
Maximum avalanche energy  
Repetitive  
Maximum avalanche energy  
Maximum drain-source dV/dt  
Peak diode recovery dV/dt  
Maximum power dissipation  
mJ  
EAS  
719.1  
Equivalent circuit schematic  
27.0  
20  
mJ  
<
dVDS/dt  
dV/dt  
PD  
VDS 120V  
=
kV/μs  
kV/μs  
W
Drain(D)  
5
Note *4  
2.02  
°C  
°C  
Ta=25  
270  
W
Tc=25  
Operating and storage  
temperature range  
Tch  
+150  
°C  
Tstg  
-55 to +150  
°C  
Gate(G)  
<
Note *1 Tch 150°C  
=
Source(S)  
Note *2 Starting Tch=25°C, IAS=27A, L=1.32mH, VCC=48V, RG=50Ω  
EAS limited by maximum channel temperrature and avalanche current.  
See to ‘Avalanche Energy’ graph.  
Note *3 Repetitve rating : Pulse width limited by maximum channel temperature.  
See to ‘Transient Thermal impedance’ graph.  
<
<
<
Note *4 IF -ID, -di/dt=50A/μs, Vcc BVDSS, Tch 150°C  
=
=
=
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Test Conditions  
Symbol  
V(BR)DSS  
VGS(th)  
Item  
μ
ID= 250 A  
VGS=0V  
Drain-source breakdown voltage  
Gate threshold voltage  
V
120  
μ
ID= 250 A  
VDS=VGS  
V
3.0  
5.0  
25  
Tch=25°C  
μA  
VDS=120V VGS=0V  
VDS=96V VGS=0V  
Zero gate voltage drain current  
IDSS  
Tch=125°C  
250  
100  
VDS=0V  
IGSS  
RDS(on)  
gfs  
VGS=±30V  
nA  
Gate-source leakage current  
Drain-source on-state resistance  
Forward transcondutance  
Input capacitance  
ID=33.5A VGS=10V  
24.6  
30.0  
mΩ  
S
14  
28  
1880  
360  
30  
ID=33.5A VDS=25V  
VDS=75V  
Ciss  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
pF  
2820  
540  
45  
VGS=0V  
Output capacitance  
f=1MHz  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on time ton  
ns  
VCC=48V ID=33.5A  
20  
30  
35  
53  
VGS=10V  
50  
75  
td(off)  
tf  
Turn-off time toff  
RGS=10 Ω  
23  
35  
VCC=60V  
ID=67A  
52  
78  
QG  
nC  
Total Gate Charge  
16  
24  
QGS  
QGD  
VSD  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
18  
27  
VGS=10V  
1.10  
150  
0.9  
1.50  
IF=67A VGS=0V Tch=25°C  
IF=67A VGS=0V  
-di/dt=100A/μs  
V
Diode forward on-voltage  
Reverse recovery time  
Reverse recovery charge  
trr  
Qrr  
ns  
μC  
Tch=25°C  
Thermalcharacteristics  
Item  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
Test Conditions  
Rth(ch-c)  
channel to case  
0.463  
°C/W  
Thermal resistance  
Rth(ch-a)  
channel to ambient  
62.0  
°C/W  
http://www.fujielectric.co.jp/fdt/scd/  
1
1234

下载PDF

与2SK3921-01SJ相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2SK3922-01 FUJI N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

获取价格
2SK3923-01 FUJI N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

获取价格
2SK3923-01_05 FUJI N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

获取价格
2SK3924-01L FUJI N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

获取价格
2SK3924-01S FUJI N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

获取价格
2SK3924-01SJ FUJI N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

获取价格

与2SK3921-01SJ相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证