Datasheet > 2SK3653J7-A

2SK3653J7-A

更新时间： 2024-09-28 15:25:15

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		ISM频段开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	44K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.01A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, 0814, SOF-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SK3653J7-A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SOF	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.09
外壳连接：	GATE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大漏极电流 (ID)：	0.01 A	FET 技术：	JUNCTION
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e6
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK3653J7-A 数据手册

DATA SHEET

JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3653

N-CHANNEL SILICON JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

FOR IMPEDANCE CONVERTER OF ECM

PACKAGE DRAWING (Unit: mm)

DESCRIPTION

The 2SK3653 is suitable for converter of ECM.

0.3 ±0.05

0.13 ⁺^–0⁰^.^.⁰¹⁵

FEATURES

• Compact package

0~0.05

• High forward transfer admittance

1000 µS TYP. (I^DSS= 100 µA)

1600 µS TYP. (I^DSS= 200 µA)

• Includes diode and high resistance at G - S

0.9

1.4 ±0.1

ORDERING INFORMATION

MAX. 0.4

PART NUMBER

2SK3653

PACKAGE

3pinXSOF (0814)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

+0.1

–0

0.2

Drain to Source Voltage ^Note1

V^DSX

–20

Gate to Drain Voltage

Drain Current

V^GDO

I^D

EQUIVALENT CIRCUIT

°C

Gate Current

I^G

Total Power Dissipation ^Note2

Junction Temperature

Storage Temperature

Drain

P^T

T^j

125

Gate

T^stg

–55 to +125 °C

Source

Notes 1. V^GS= –1.0 V

2. Mounted on ceramic substrate of 3.0 cm²x 0.64 mm

Remark Please take care of ESD (Electro Static Discharge) when you handle the device in this document.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No.

Date Published June 2002 NS CP(K)

Printed in Japan

D16293EJ1V0DS00 (1st edition)

2002

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与2SK3653J7-A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3653J7-T1-A	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,JFET,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,280UA I(DSS),SOT-416VAR
2SK3653J7-T1-AT	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,JFET,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,280UA I(DSS),SOT-416VAR
2SK3653-T1-A	RENESAS	获取价格	Switching N-Channel Power Mosfet, 3pXSOF, /Embossed Tape
2SK3656	TOSHIBA	获取价格	Silicon N Channel MOS Type VHF- and UHF-band Amplifier Applications
2SK3658	TOSHIBA	获取价格	Silicon N Channel MOS Type DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive
2SK3658(TE12L,F)	TOSHIBA	获取价格	Trans MOSFET N-CH 60V 2A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
2SK3659	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK365BL	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| JFET \| N-CHANNEL \| 6MA I(DSS) \| SPAK
2SK365-BL	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, 2-4E1C, 3 PIN, FET General Purpose Small Sig
2SK365GR	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| JFET \| N-CHANNEL \| 2.6MA I(DSS) \| SPAK

与2SK3653J7-A相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

22
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

17
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

20
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SK3653J7-A

2SK3653J7-A 技术参数

2SK3653J7-A 数据手册

与2SK3653J7-A相关器件

与2SK3653J7-A相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SK3653J7-A

2SK3653J7-A 技术参数

2SK3653J7-A 数据手册

与2SK3653J7-A相关器件

与2SK3653J7-A相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？