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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SC-59 |
| 包装说明： | SC-59, MPAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.14 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.03 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK360IGFUR | RENESAS |
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暂无描述 |
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| 2SK3610-01 | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK3611 | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK3611-01MR | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK3611-01MR_03 | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK3612-01L | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK3612-01S | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK3612-01SJ | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK3613-01 | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK3614 | SANYO |
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UltraHigh-Speed Switching Applications |
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