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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK3612-01SJ
2SK3612-01SJ PDF预览

2SK3612-01SJ

更新时间： 2024-01-31 16:40:03
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI /
页数 文件大小 规格书
4页 260K
描述
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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2SK3612-01SJ 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.71
雪崩能效等级（Eas）：129.1 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：10 A最大漏极电流 (ID)：14 A
最大漏源导通电阻：0.26 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：56 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK3612-01SJ 数据手册

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2SK3612-01L,S,SJ  
FUJI POWER MOSFET  
Super FAP-G Series  
Features  
200304  
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET  
Outline Drawings (mm)  
High speed switching  
Low on-resistance  
No secondary breadown  
Low driving power  
Avalanche-proof  
Applications  
P4  
Switching regulators  
UPS (Uninterruptible Power Supply)  
DC-DCconverters  
Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings  
(Tc=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Symbol  
VDS  
Ratings  
250  
Unit  
V
Drain-source voltage  
V
VDSX *5  
ID  
220  
±14  
±56  
±30  
14  
Equivalent circuit schematic  
A
Continuous drain current  
Pulsed drain current  
Gate-source voltage  
A
ID(puls]  
VGS  
V
Drain(D)  
A
Non-repetitive Avalanche current IAS *2  
mJ  
kV/μs  
kV/μs  
W
Maximum Avalanche Energy  
Maximum Drain-Source dV/dt  
Peak Diode Recovery dV/dt  
Max. power dissipation  
EAS *1  
dVDS/dt *4  
dV/dt *3  
PD Ta=25  
Tc=25  
Tch  
129.1  
20  
5
Gate(G)  
°C  
°C  
2.02  
Source(S)  
105  
+150  
-55 to +150  
Operating and storage  
temperature range  
°C  
°C  
Tstg  
<
*1 L=1.11mH, Vcc=48V,Tch=25°C, See to Avalanche Energy Graph *2 Tch 150°C  
=
<
<
<
<
*5 VGS=-30V  
*3 IF -ID, -di/dt=50A/μs, Vcc BVDSS, Tch 150°C *4 VDS 250V  
=
=
=
=
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
V(BR)DSS  
VGS(th)  
Test Conditions  
Item  
μ
ID= 250 A  
VGS=0V  
V
Drain-source breakdown voltaget  
Gate threshold voltage  
250  
μ
ID= 250 A  
VDS=VGS  
V
3.0  
5.0  
25  
Tch=25°C  
μA  
VDS=250V VGS=0V  
Zero gate voltage drain current  
IDSS  
Tch=125°C  
250  
100  
260  
VDS=200V VGS=0V  
VGS=±30V VDS=0V  
IGSS  
RDS(on)  
gfs  
nA  
10  
200  
10  
785  
88  
4
Gate-source leakage current  
Drain-source on-state resistance  
Forward transcondutance  
Input capacitance  
ID=5A VGS=10V  
mΩ  
S
ID=5A VDS=25V  
VDS=75V  
5
Ciss  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
pF  
1178  
132  
6
VGS=0V  
Output capacitance  
f=1MHz  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on time ton  
ns  
VCC=48V ID=5A  
12  
2.7  
22  
7.4  
21  
8
18  
4.1  
VGS=10V  
td(off)  
tf  
33  
Turn-off time toff  
RGS=10 Ω  
11.1  
31.5  
12  
QG  
VCC=125V  
ID=10A  
nC  
Total Gate Charge  
QGS  
QGD  
IAV  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
5
7.5  
VGS=10V  
14  
L=1.11mH Tch=25°C  
A
Avalanche capability  
Diode forward on-voltage  
Reverse recovery time  
Reverse recovery charge  
1.10  
1.65  
VSD  
IF=10A VGS=0V Tch=25°C  
IF=10A VGS=0V  
V
0.155  
1.05  
trr  
Qrr  
μs  
μC  
-di/dt=100A/μs  
Tch=25°C  
Thermalcharacteristics  
Item  
Symbol  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Rth(ch-c)  
channel to case  
1.191  
°C/W  
Thermal resistance  
Rth(ch-a)  
channel to ambient  
75.0  
°C/W  
www.fujielectric.co.jp/denshi/scd  
1
1234

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