2SK3403

更新时间： 2024-01-10 04:24:29

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东芝 - TOSHIBA		晶体晶体管功率场效应晶体管
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6页	234K
描述
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

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2SK3403 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	13 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	100 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

2SK3403 数据手册

2SK3403

– t

Duty = 0.5

0.5

0.3

0.2

0.1

0.05

0.03

0.02

0.01

Single pulse

Duty = t/T

th (ch-c)

= 1.25°C/W

0.01

10 m

100 m

1 m

10 m

Pulse width

100 m

(S)

Safe operating area

– T

AS ch

400

100

max (pulse) *

300

200

100

max

(continuous)

100 ms *

1 ms *

DC operation

Tc = 25°C

0.5

0.3

100

125

150

Channel temperature (initial) Tch (°C)

* Single nonrepetitive pulse

Tc = 25°C

0.1

Curves must be derated linearly

with increase in temperature.

0.05

0.03

max

300

DSS

VDSS

15 V

100

1000

-15 V

Drain-source voltage

(V)

Test circuit

Wave form

VDSS

= 25 W

×L×I

= 90 V, L = 3.46 mH

2002-09-02

1 2 3 456

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