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2SK3407

更新时间： 2024-11-24 22:52:59
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
6页 224K
描述
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (PIE-MOSV)

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2SK3407 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SC-67包装说明：LEAD FREE, 2-10R1B, SC-67, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.36Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：222 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：450 V最大漏极电流 (ID)：10 A
最大漏源导通电阻：0.65 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK3407 数据手册

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2SK3407  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSV)  
2SK3407  
Switching Regulator Applications  
Unit: mm  
·
·
·
·
Low drain-source ON resistance: R  
= 0.48 Ω (typ.)  
DS (ON)  
High forward transfer admittance: |Y | = 7.5 S (typ.)  
fs  
Low leakage current: I  
= 100 µA (max) (V  
= 450 V)  
DSS  
DS  
= 10 V, I = 1 mA)  
Enhancement-mode: V = 2.4~3.4 V (V  
th DS  
D
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Drain-source voltage  
V
450  
450  
±30  
10  
V
V
V
DSS  
DGR  
GSS  
Drain-gate voltage (R  
= 20 kW)  
V
V
GS  
Gate-source voltage  
DC  
(Note 1)  
I
D
Drain current  
A
Pulse (Note 1)  
I
40  
DP  
Drain power dissipation (Tc = 25°C)  
P
40  
W
D
AS  
AR  
JEDEC  
JEITA  
―
Single pulse avalanche energy  
E
222  
mJ  
SC-67  
2-10R1B  
(Note 2)  
TOSHIBA  
Avalanche current  
I
10  
4
A
Repetitive avalanche energy (Note 3)  
Channel temperature  
E
mJ  
°C  
°C  
AR  
Weight: 1.9 g (typ.)  
T
150  
ch  
Storage temperature range  
T
-55~150  
stg  
Thermal Characteristics  
Characteristics  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal resistance, channel to case  
Thermal resistance, channel to ambient  
R
R
3.125  
62.5  
°C/W  
°C/W  
th (ch-c)  
th (ch-a)  
Note 1: Please use devices on condition that the channel temperature is below 150°C.  
Note 2: V = 90 V, T = 25°C (initial), L = 3.7 mH, R = 25 W, I = 10 A  
DD ch AR  
G
Note 3: Repetitive rating; pulse width limited by maximum channel temperature.  
This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with caution.  
1
2002-08-12  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK3407_06 TOSHIBA

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2SK3408 NEC

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2SK3408 RENESAS

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