2SK3407

更新时间： 2024-02-28 10:11:58

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
6页	224K
描述
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (PIE-MOSV)

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SK3407 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SC-67	包装说明：	LEAD FREE, 2-10R1B, SC-67, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.36	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	222 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	450 V	最大漏极电流 (ID)：	10 A
最大漏源导通电阻：	0.65 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK3407 数据手册

2SK3407

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSV)

2SK3407

Switching Regulator Applications

Unit: mm

Low drain-source ON resistance: R

= 0.48 Ω (typ.)

DS (ON)

High forward transfer admittance: |Y | = 7.5 S (typ.)

Low leakage current: I

= 100 µA (max) (V

= 450 V)

DSS

= 10 V, I = 1 mA)

Enhancement-mode: V = 2.4~3.4 V (V

th DS

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Drain-source voltage

450

±30

DSS

DGR

GSS

Drain-gate voltage (R

= 20 kW)

Gate-source voltage

(Note 1)

Drain current

Pulse (Note 1)

Drain power dissipation (Tc = 25°C)

JEDEC

JEITA

―

Single pulse avalanche energy

222

SC-67

2-10R1B

(Note 2)

TOSHIBA

Avalanche current

Repetitive avalanche energy (Note 3)

Channel temperature

°C

Weight: 1.9 g (typ.)

150

Storage temperature range

-55~150

stg

Thermal Characteristics

Characteristics

Symbol

Max

Unit

Thermal resistance, channel to case

Thermal resistance, channel to ambient

3.125

62.5

°C/W

th (ch-c)

th (ch-a)

Note 1: Please use devices on condition that the channel temperature is below 150°C.

Note 2: V = 90 V, T = 25°C (initial), L = 3.7 mH, R = 25 W, I = 10 A

DD ch AR

Note 3: Repetitive rating; pulse width limited by maximum channel temperature.

This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with caution.

2002-08-12

12 3 4 5 6

下载PDF

与2SK3407相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SK3407_06	TOSHIBA	Silicon N Channel MOS Type Switching Regulator Applications	获取价格
2SK3408	NEC	N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING	获取价格
2SK3408	RENESAS	1000mA, 43V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SC-96, MINI MOLD PACKAGE-3	获取价格
2SK3408(0)-T1B-AT	RENESAS	Power MOSFETs for Automotive, TMM, /Embossed Tape	获取价格
2SK3408-A	RENESAS	1000mA, 48V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, SC-96, 3 PIN	获取价格
2SK3408-T1B-AT	RENESAS	Power MOSFETs for Automotive, TMM, /Embossed Tape	获取价格