是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Lifetime Buy | 零件包装代码: | D2PAK |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 5.3 |
雪崩能效等级(Eas): | 202 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 60 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 82 A | 最大漏极电流 (ID): | 82 A |
最大漏源导通电阻: | 0.014 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-263AB | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 95 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 328 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SK3353-ZJ-AZ | RENESAS |
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2SK3353-ZJ-AZ | |
2SK3353-ZJ-E1-AZ | RENESAS |
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2SK3353-ZJ-E1-AZ | |
2SK3354 | KEXIN |
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MOS Field Effect Transistor | |
2SK3354 | TYSEMI |
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Super low on-state resistance: RDS(on)1 = 8.0 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 42 A) | |
2SK3354 | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE | |
2SK3354(0)-AZ | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,83A I(D),TO-220AB | |
2SK3354(0)-S-AZ | RENESAS |
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2SK3354(0)-S-AZ | |
2SK3354(0)-Z-AZ | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,83A I(D),TO-263ABVAR | |
2SK3354(0)-ZJ-AZ | RENESAS |
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2SK3354(0)-ZJ-AZ | |
2SK3354(0)-ZJ-E1-AZ | RENESAS |
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2SK3354(0)-ZJ-E1-AZ |