2SK3353-S

更新时间： 2024-11-24 22:52:55

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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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2SK3353-S 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-262AA	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.75	雪崩能效等级（Eas）：	202 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	82 A
最大漏源导通电阻：	0.014 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-262AA	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	328 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK3353-S 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3353

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

2SK3353

The 2SK3353 is N-channel MOS Field Effect Transistor

designed for high current switching applications.

PACKAGE

TO-220AB

TO-262

2SK3353-S

FEATURES

2SK3353-Z

TO-220SMD

• Super low on-state resistance:

DS(on)1

★

= 9.5 mΩ MAX. (V = 10 V, I = 41 A)

DS(on)2

= 14 mΩ MAX. (V = 4 V, I = 41 A)

iss

• Low C : C = 4650 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Drain to Source Voltage

V^DSS

V^GSS(AC)

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T

±20

Gate to Source Voltage

Drain Current (DC)

±82

★

Drain Current (pulse) ^Note1

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Channel Temperature

±328

°C

P^T

1.5

T^ch

150

Storage Temperature

T^stg

–55 to +150

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

I^AS

★

E^AS

202

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty cycle ≤ 1 %

★

2. Starting T^ch= 25 °C, R^G= 25 Ω, V^GS= 20 V → 0 V

THERMAL RESISTANCE

Channel to Case

Rth(ch-C)

Rth(ch-A)

1.32

83.3

°C/W

Channel to Ambient

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Document No.

Date Published June 1999 NS CP(K)

Printed in Japan

D14130EJ1V0DS00 (1st edition)

The mark ★ shows major revised points.

1999

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3353-S-AZ	RENESAS	获取价格	2SK3353-S-AZ
2SK3353-Z	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3353-Z	RENESAS	获取价格	82A, 60V, 0.014ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MP-25Z, TO-220SMD, 3 PIN
2SK3353-Z-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 82A I(D), 60V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
2SK3353-ZJ	RENESAS	获取价格	82A, 60V, 0.014ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, MP-25ZJ, 3 PIN
2SK3353-ZJ-AZ	RENESAS	获取价格	2SK3353-ZJ-AZ
2SK3353-ZJ-E1-AZ	RENESAS	获取价格	2SK3353-ZJ-E1-AZ
2SK3354	KEXIN	获取价格	MOS Field Effect Transistor
2SK3354	TYSEMI	获取价格	Super low on-state resistance: RDS(on)1 = 8.0 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 42 A)
2SK3354	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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