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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | End Of Life | 零件包装代码： | SC-65 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.32 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 925 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 30 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 30 A | 最大漏源导通电阻： | 0.052 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 120 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK3176(F) | TOSHIBA |
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MOSFET N-CH 200V 30A 2-16C1B |
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| 2SK3176_07 | TOSHIBA |
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Silicon N Channel MOS Type Switching Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Applicatio |
|
| 2SK3176_09 | TOSHIBA |
获取价格 |
Switching Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Applications |
|
| 2SK3177 | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SK3177 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
|
| 2SK3177-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
|
| 2SK3179 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL SINGLE GATE MODULATION DOPE TYPE )UHF~SHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
|
| 2SK318 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 180V V(BR)DSS | 4A I(D) | SOT-119VAR |
|
| 2SK319 | HITACHI |
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SILICON N-CHANNEL MOS FET (HIGH SPEED POWER SWITCHING) |
|
| 2SK3192 | PANASONIC |
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Silicon N-channel power MOSFET |
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