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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK2796(S)TR

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2SK2796(S)TR

更新时间： 2024-02-27 12:08:10

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		开关电源开关
页数	文件大小	规格书
9页	95K
描述
5A, 60V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

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2SK2796(S)TR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
零件包装代码：	DPAK(S)	包装说明：	,
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.67	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

2SK2796(S)TR 数据手册

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2SK2796(L), 2SK2796(S)

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Drain to source voltage

Gate to source voltage

Drain current

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Ratings

Unit

60

V

V

±20

5

A

Note1

Drain peak current

I_D(pulse)

20

A

Body-drain diode reverse drain current

Avalanche current

I_DR

5

A

Note3

I_AP

5

2.14

A

Note3

Avalanche energy

E_AR

Pch ^Note2

mJ

W

°C

°C

Channel dissipation

20

Channel temperature

Tch

150

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

Notes: 1. PW ≤ 10 µs, duty cycle ≤ 1 %

2. Value at Tc = 25°C

3. Value at Tch = 25°C, Rg ≥ 50 Ω

Electrical Characteristics

(Ta = 25°C)

Item

Symbol

Min

60

±20

—

Typ

—

Max

—

Unit

V

Test Conditions

I_D= 10 mA, V_GS= 0

Drain to source breakdown voltage

Gate to source breakdown voltage

Zero gate voltage drain current

Gate to source leak current

Gate to source cutoff voltage

V_(BR)DSS

V_(BR)GSS

I_DSS

—

—

V

I_G= ±100 µA, V_DS= 0

V_DS= 60 V, V_GS= 0

—

10

±10

2.0

0.16

0.25

—

µA

µA

V

I_GSS

—

—

V_GS= ±16 V, V_DS= 0

I_D= 1 mA, V_DS= 10 V

I_D= 3 A, V_GS= 10 V ^Note4

I_D= 3 A, V_GS= 4 V ^Note4

I_D= 3 A, V_DS= 10 V ^Note4

V_GS(off)

R_DS(on)

R_DS(on)

|y_fs|

1.0

—

—

Static drain to source on state

resistance

0.12

0.16

4.0

180

90

Ω

—

Ω

Forward transfer admittance

Input capacitance

2.5

—

S

Ciss

Coss

Crss

t_d(on)

t_r

—

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

V

V_DS= 10V, V_GS= 0,

f = 1MHz

Output capacitance

Reverse transfer capacitance

Turn-on delay time

Rise time

—

—

—

30

—

—

9

—

V_GS= 10 V, I_D= 3 A,

R_L= 10 Ω

—

25

—

Turn-off delay time

Fall time

t_d(off)

t_f

—

35

—

—

55

—

Body–drain diode forward voltage

V_DF

—

1.0

40

—

I_F= 5A, V_GS= 0

Body–drain diode reverse

recovery time

t_rr

—

—

ns

I_F= 5A, V_GS= 0

di_F/ dt =50 A/ µs

Note: 4. Pulse test

Rev.5.00 Sep 07, 2005 page 2 of 8

123 4 5 6 7...9

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