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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.67 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 最大漏极电流 (ID)： | 0.01 A |
| FET 技术： | JUNCTION | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2553 | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SK2553 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SK2553(L) | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-262VAR |
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| 2SK2553(L)|2SK2553(S) | ETC |
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|
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| 2SK2553(S) | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-263VAR |
|
| 2SK2553(S)-(1) | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,50A I(D),TO-263ABVAR |
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| 2SK2553(S)-(2) | RENESAS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| 2SK2553(S)TL | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| 2SK2553(S)TL | RENESAS |
获取价格 |
50 A, 60 V, 0.016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SK2553(S)TR | RENESAS |
获取价格 |
50A, 60V, 0.016ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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