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2SK2552J6

更新时间： 2024-01-20 15:42:02

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	46K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.01A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, USM, SC-75, 3 PIN

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2SK2552J6 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-75
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.67	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最大漏极电流 (ID)：	0.01 A	FET 技术：	JUNCTION
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	DEPLETION MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK2552J6 数据手册

DATA SHEET

JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK2552

N-CHANNEL SILICON JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

FOR IMPEDANCE CONVERTER OF ECM

DESCRIPTION

PACKAGE DRAWING (Unit: mm)

The 2SK2552 is suitable for converter of ECM.

+0.1

–0.05

0.1

0.3 ± 0.05

FEATURES

• Compact package

• High forward transfer admittance

1000 µS TYP. (I^DSS= 100 µA)

1600 µS TYP. (I^DSS= 200 µA)

• Includes diode and high resistance at G - S

0 to 0.1

+0.1

–0

0.2

0.6

0.5

0.75 ± 0.05

1.0

1.6 ± 0.1

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

2SK2552

PACKAGE

SC-75 (USM)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

EQUIVALENT CIRCUIT

Drain to Source Voltage ^Note1

V^DSX

–20

Gate to Drain Voltage

Drain Current

V^GDO

I^D

Drain

°C

Gate Current

I^G

Total Power Dissipation ^Note2

Junction Temperature

Storage Temperature

Gate

P^T

T^j

200

125

Source

T^stg

–55 to +125 °C

Notes 1. V^GS= –1.0 V

2. Mounted on ceramic substrate of 3.0 cm²x 0.64 mm

Remark Please take care of ESD (Electro Static Discharge) when you handle the device in this document.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No.

D15941EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published January 2002 NS CP(K)

Printed in Japan

2002

12 3 4 5 6 7 8

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与2SK2552J6相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK2552J6-T1	NEC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.01A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction
2SK2552J7	NEC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.01A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction
2SK2552J7-T1	NEC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.01A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction
2SK2552J7-T2	NEC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.01A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction
2SK2553	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
2SK2553	HITACHI	获取价格	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
2SK2553(L)	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 50A I(D) \| TO-262VAR
2SK2553(L)\|2SK2553(S)	ETC	获取价格
2SK2553(S)	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 50A I(D) \| TO-263VAR
2SK2553(S)-(1)	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,50A I(D),TO-263ABVAR

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