5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.67 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 最大漏极电流 (ID)： | 0.01 A |
| FET 技术： | JUNCTION | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2552J5 | NEC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.01A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction |
|
| 2SK2552J5-T1 | NEC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.01A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction |
|
| 2SK2552J5-T2 | NEC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.01A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction |
|
| 2SK2552J6 | NEC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.01A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction |
|
| 2SK2552J6-T1 | NEC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.01A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction |
|
| 2SK2552J7 | NEC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.01A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction |
|
| 2SK2552J7-T1 | NEC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.01A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction |
|
| 2SK2552J7-T2 | NEC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.01A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction |
|
| 2SK2553 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
|
| 2SK2553 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
|
BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
