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2SK2393

更新时间: 2024-02-09 11:41:50
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瑞萨 - RENESAS 晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
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7页 79K
描述
Silicon N Channel MOS FET

2SK2393 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-3PL
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.36
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:1500 V最大漏极电流 (Abs) (ID):8 A
最大漏极电流 (ID):8 A最大漏源导通电阻:2.8 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):200 W最大脉冲漏极电流 (IDM):20 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SK2393 数据手册

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2SK2393  
Silicon N Channel MOS FET  
REJ03G1010-0200  
(Previous: ADE-208-1357)  
Rev.2.00  
Sep 07, 2005  
Application  
High voltage / High speed power switching  
Features  
Low on-resistance, High breakdown voltage  
High speed switching  
Low drive current  
No secondary breakdown  
Suitable for switching regulator, motor control  
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0004ZF-A  
(Package name: TO-3PL)  
D
1. Gate  
2. Drain  
(Flange)  
3. Source  
G
S
1
2
3
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 1 of 6  

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