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2SK2399

更新时间: 2024-02-16 06:14:32
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体转换器稳压器开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电机高压驱动DC-DC转换器斩波器
页数 文件大小 规格书
5页 294K
描述
N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED, HIGH VOLTAGE SWITCHING, CHOPPER REGULATOR, DC-DC CONVERTER AND MOTOR DRIVE APPLICATIONS)

2SK2399 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:End Of Life
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数:3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.28
雪崩能效等级(Eas):180 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):5 A最大漏极电流 (ID):5 A
最大漏源导通电阻:0.3 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):20 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):20 A子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SK2399 数据手册

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