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2SK2399(2-7J1B)

更新时间： 2024-01-24 16:22:22

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	423K
描述
TRANSISTOR 5 A, 100 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2-7J1B, 3 PIN, FET General Purpose Power

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2SK2399(2-7J1B) 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	End Of Life	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.75
雪崩能效等级（Eas）：	180 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	5 A	最大漏源导通电阻：	0.3 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK2399(2-7J1B) 数据手册

2SK2399

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L −π−MOSV)

2SK2399

Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive

Unit: mm

Applications

ꢀ 4 V gate drive

ꢀ Low drain−source ON resistance

ꢀ High forward transfer admittance

: R = 0.17 Ω (typ.)

DS (ON)

: |Y | = 4.5 S (typ.)

ꢀ Low leakage current : I

= 100 µA (max) (V = 100 V)

DSS

ꢀ Enhancement−mode : V = 0.8~2.0 V (V

= 10 V, I = 1 mA)

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Drain−source voltage

Symbol

Rating

Unit

100

±20

DSS

Drain−gate voltage (R

Gate−source voltage

= 20 kΩ)

DGR

GSS

DC (Note 1)

Drain current

Pulse (Note 1)

Drain power dissipation (Tc = 25°C)

Single pulse avalanche energy

JEDEC

JEITA

―

180

(Note 2)

SC-64

2-7B1B

Avalanche current

TOSHIBA

Repetitive avalanche energy (Note 3)

Channel temperature

°C

Weight: 0.36 g (typ.)

150

Storage temperature range

−55~150

stg

Thermal Characteristics

Characteristics

Symbol

Max

Unit

Thermal resistance, channel to case

6.25

125

°C / W

th (ch−c)

th (ch−a)

Thermal resistance, channel to

ambient

Note 1: Please use devices on condition that the channel temperature is

below 150°C.

Note 2: V

= 25 V, T = 25°C (initial), L = 11.6 mH, R = 25 Ω, I

= 5 A

Note 3: Repetitive rating: Pulse width limited by maximum channel

temperature

This transistor is an electrostatic sensitive device.

Please handle with caution.

JEDEC

JEITA

―

TOSHIBA

2-7J1B

Weight: 0.36 g (typ.)

2002-07-22

12 3 4 5 6

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