2SK2409

更新时间： 2024-02-02 10:49:41

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
8页	115K
描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SK2409 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.38
雪崩能效等级（Eas）：	160 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	40 A	最大漏源导通电阻：	0.04 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	160 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK2409 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK2409

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

PACKAGE DIMENSION

(in millimeters)

The 2SK2409 is N-Channel MOS Field Effect Transistor de-

signed for solenoid, motor, and lamp driver.

4.5 0.ꢁ

ꢀ0.0 0.3

FEATURES

3.ꢁ 0.ꢁ

ꢁ.7 0.ꢁ

• Low On-Resistance

R^DS(on)≤ 27 mΩ (VGS = 10 V, ID = 20 A)

R^DS(on)≤ 40 mΩ (VGS = 4 V, ID = 20 A)

• Low Ciss

Ciss = 2040 pF TYP.

• Built-in Gate Protection Diode

QUALITY GRADE

Standard

Please refer to “Quality grade on NEC Semiconductor Device”

(Document number IEI-1209) published by NEC Corporation to

know the specification of quality grade on the devices and its

recommended applications.

ꢁ.5 0.ꢀ

0.65 0.ꢀ

0.7 0.ꢀ

ꢁ.54

ꢀ.3 0.ꢁ

ꢀ.5 0.ꢁ

ꢁ.54

ꢀ. Gate

ꢁ. Drain

3. Source

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 ˚C)

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Drain Current (DC)

VDSS

±20

±40

±160

2.0

ꢀ

ꢁ 3

V^GSS

ID(DC)

MP-45F (ISOLATED TO-220)

Drain Current (pulse)

I^D(pulse)*

Total Power Dissipation (T^a= 25 ˚C) PT1

Total Power Dissipation (Tc = 25 ˚C) PT2

˚C

Drain

Channel Temperature

Storage Temperature

Single Avalanche Current

Single Avalanche Energy

T^ch

150

Body

Diode

Tstg

–55 to +150 ˚C

Gate

IAS**

E^AS**

160

Gate Protection

Diode

PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1 %

Source

** Starting Tch = 25 ˚C, RG = 25 Ω, VGS = 20 V → 0

The information in this document is subject to change without notice.

Document No. TC-2489

(O. D. No. TC-8028)

Date Published September 1994

Printed in Japan

1994

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与2SK2409相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK2409(0)-AZ	RENESAS	获取价格	2SK2409(0)-AZ
2SK2409-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
2SK241	TOSHIBA	获取价格	N CHANNEL MOS TYPE (FM TUNER, VHF AND FR AMPLIFIER APPLICATIONS)
2SK2410	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK2410(0)-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,30A I(D),SOT-186
2SK2410-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
2SK2411	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
2SK2411-Z	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 30A I(D) \| TO-263AB
2SK2412	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK2412-AZ	NEC	获取价格	暂无描述

与2SK2409相关文章

咪头种类及其特性：全指向与单指向咪头的专业解析
2024-06-25

3
基频晶振与泛音晶振在电路中的使用差异解析
2024-06-25

2
BSS138P数据手册解读：产品概览、特性、应用及替换型号推荐
2024-06-25

1
SZNUP2105LT1G电气参数、产品特性详解
2024-06-25

1

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SK2409

2SK2409 技术参数

2SK2409 数据手册

与2SK2409相关器件

与2SK2409相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SK2409

2SK2409 技术参数

2SK2409 数据手册

与2SK2409相关器件

与2SK2409相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？