2SK2410

更新时间： 2024-09-22 22:52:55

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日电电子 - NEC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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2SK2410 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.35	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	90 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	30 A
最大漏源导通电阻：	0.06 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	120 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK2410 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK2410

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

PACKAGE DIMENSIONS

The 2SK2410 is N-Channel MOS Field Effect Transistor de-

signed for high speed switching applications.

(in millimeters)

4.5 0.2

10.0 0.ꢀ

ꢀ.2 0.2

FEATURES

2.7 0.2

• Low On-Resistance

R^DS(on)1= 40 mΩ MAX. (@ VGS = 10 V, ID = 15 A)

R^DS(on)2= 60 mΩ MAX. (@ VGS = 4 V, ID = 15 A)

• Low Ciss

Ciss = 1500 pF TYP.

• High Avalanche Capability Ratings

• Built-in G-S Gate Protection Diodes

QUALITY GRADE

Standard

Pleasereferto"QualitygradeonNECSemiconductorDevices"(Document

number IEI-1209) published by NEC Corporation to know the

specification of quality grade on the devices and its recommended

2.5 0.1

0.7 0.1

2.54

1.ꢀ 0.2

1.5 0.2 0.65 0.1

2.54

applications.

1. Gate

2. Drain

ꢀ. Source

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)

2 ꢀ

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Drain Current (DC)

VDSS

±20

±30

±120

VGSS

I^D(DC)

I^D(pulse)

MP-45F(ISOLATED TO-220)

Drain Current (pulse)*

Total Power Dissipation (Tc = 25 ˚C) PT1

Total Power Dissipation (T^A= 25 ˚C) PT2

˚C

Drain

2.0

Channel Temperature

Tch

Tstg

I^AS

150

Body

Diode

Storage Temperature

–55 to +150 ˚C

Gate

Single Avalanche Current**

Single Avalanche Energy**

EAS

Gate Protection

Diode

PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1 %

Source

** Starting T^ch= 25 ˚C, RG = 25 Ω, VGS = 20 V → 0

The information in this document is subject to change without notice.

Document No. TC-2497

(O. D. No. TC-8029)

Date Published November 1994

Printed in Japan

1994

12 3 4 5 6 7 8

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与2SK2410相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK2410(0)-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,30A I(D),SOT-186
2SK2410-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
2SK2411	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
2SK2411-Z	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 30A I(D) \| TO-263AB
2SK2412	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK2412-AZ	NEC	获取价格	暂无描述
2SK2413	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK2413(0)-T-AZ	RENESAS	获取价格	2SK2413(0)-T-AZ
2SK2413-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
2SK2413-T-AZ	RENESAS	获取价格	2SK2413-T-AZ

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