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2SK2414

更新时间： 2024-01-19 08:34:52

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描述
Low On-Resistance RDS(on)1 = 70 m MAX. ( VGS = 10 V, ID = 5.0 A) Low Ciss Ciss = 840 pF TYP.

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2SK2414 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.31	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	10 A	最大漏源导通电阻：	0.095 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK2414 数据手册

SMM

MDDTTTyyp

ppee

TransistIoCrs

Product specification

2SK2414

Features

TO-252

Unit: mm

Low On-Resistance

+0.15

-0.15

+0.1

2.30

-0.1

6.50

R^DS(on)1= 70 m MAX. (@ V^GS= 10 V, I^D= 5.0 A)

R^DS(on)2= 95 m MAX. (@ V^GS= 4 V, I^D= 5.0 A)

Low ^CissC^iss= 840 pF TYP.

+0.2

5.30

-0.2

+0.8

0.50

-0.7

0.127

max

Built-in G-S Gate Protection Diodes

High Avalanche Capability Ratings

+0.1

0.80

-0.1

+0.1

0.60

-0.1

2.3

4.60

1 Gate

+0.15

-0.15

2 Drain

3 Source

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Drain to source voltage

Symbol

V^DSS

V^GSS

I^D

Rating

Unit

Gate to source voltage

Drain current

I^dp*

P^D

±± 0

Power dissipation

Channel temperature

Storage temperature

* PW 10 s,Duty Cycle 1%

T^ch

150

T^stg

-55 to +150

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

I^DSS

I^GSS

V^GS(off)V^DS=10V,I^D=1mA

Testconditons

V^DS=60V,V^GS=0

V^GS= 20V,V^DS=0

Min

Typ

Max

Unit

Drain cut-off current

Gate leakage current

Gate to source cutoff voltage

Forward transfer admittance

1.0

7.0

1.6

2.0

V^DS=10V,I^D=5A

V^GS=10V,I^D=5A

V^GS=4V,I^D=5A

Y^fs

Drain to source on-state resistance

R^DS(on)

Input capacitance

Output capacitance

Reverse transfer capacitance

Turn-on delay time

Rise time

C^iss

C^oss

C^rss

t^on

t^r

860

440

110

V^DS=10V,V^GS=0,f=1MHZ

I^D=5A,V^GS(on)=10V,R^G=10 ,V^DD=30V

Turn-off delay time

Fall time

t^off

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

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4008-318-123

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