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2SK2211

更新时间： 2024-01-22 04:38:42

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Silicon N-Channel MOSFET

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2SK2211 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1 A	最大漏极电流 (ID)：	1 A
最大漏源导通电阻：	0.75 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK2211 数据手册

SMD Type

MOSFET

Silicon N-Channel MOSFET

2SK2211

SOT-89

Unit: mm

+0.1

-0.1

+0.1

1.50

-0.1

4.50

1.80

+0.1

-0.1

Features

Low ON-resistance RDS(ON)

High-speed switching

0.53

+0.1

0.48

-0.1

+0.1

-0.1

+0.1

0.44

-0.1

1 Gate

1. Source

1. Base

+0.1

-0.1

3.00

2 Drain

2. Drain

2. Collector

3 Source

3. Emiitter

3. Gate

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Drain to source voltage

Symbol

V^DSS

V^GSS

I^D

Rating

Unit

Gate to source voltage

1.0

Drain current

I^dp*

P^D

2.0

Power dissipation

Channel temperature

Storage temperature

T^ch

150

Tstg

-55 to +150

* PW 10ms,Duty Cycle 50%

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

Testconditons

ID=0.1mA,VGS=0

Min

Typ

Max

Unit

Drain to source breakdown voltage

Gate to source voltage

Drain cut-off current

V^DSS

V^GSS

IDSS

I^GSS

V^th

IGS=0.1mA,VGS=0

VDS=25V,VGS=0

VGS= 15V,VDS=0

VDS=5V,ID=1mA

VDS=10V,ID=0.5A

V^GS=4V,ID=0.5A

VGS=10V,ID=0.5A

1.0

Gate leakage current

Gate threshold voltage

Forward transfer admittance

0.8

0.5

Yfs

0.48 0.75

Drain to source on-state resistance

R^DS(on)

0.35

0.6

Input capacitance

Output capacitance

Reverse transfer capacitance

Turn-on delay time

Rise time

Ciss

C^oss

C^rss

t^on

V^DS=10V,VGS=0,f=1MHZ

t^r

I^D=0.5A,VGS(on)=10V,RL=10 ,VDD=10V

160

Turn-off delay time

toff

Marking

www.kexin.com.cn

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